Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STW11NK100Z

STW11NK100Z
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STW11NK100Z. C(in): 3500pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 560 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit, Schaltanwendungen. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK100Z. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 1000V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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