STW12NK80Z

STW12NK80Z. C(in): 2620pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 635 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserte ESD-Fähigkeit. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W12NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH™ Leistungs-MOSFET-Transistor, geschützt durch Zenerdiode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.