Transistoren

Gehäuse: TO-220. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -5A. Leistung: 75W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122

BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kosten): 300pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP127. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP132. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 15000. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP137

Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): 70pF. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 8A. Maximaler hFE-Gewinn: 15000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 12V. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP132. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 60pF. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Widerstand B: Darlington-Leistungstransistor. C(in): 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP147. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 500. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142

Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -10A. Leistung: 125W. Gehäuse: TO-3P

Gehäuse: TO-247. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP2955. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Kollektorstrom: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 7V. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -15A. Leistung: 90W. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP3055. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP30. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 7V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 90W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP2955. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 24. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 5A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP32C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 160pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP34C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Produktionsdatum: 1450. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 125W. Max Frequenz: 3MHz. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP35CG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 45pF. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP33C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 50A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP35C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP36CG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

Kosten): 80pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP42C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 6A. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-220

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP41C. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -6A. Leistung: 65W

Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -6A. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-220