Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STW13NK60Z

STW13NK60Z
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STW13NK60Z. Kanaltyp: N. Gehäuse: TO-247. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W13NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 13A. Leistung: 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

Technische Dokumentation

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C(in): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2699. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja
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C(in): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2699. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-3P ( TO3P ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja
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