Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kosten): 9pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S8050 C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (Ammo-Pack). Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

BE-Widerstand: 4. Kosten): 3pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 95pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Kosten): 28pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 96. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 270 MHz. Funktion: Allzweck. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 0.45W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1750pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 440 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 415 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 1mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13005A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13007A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

BE-Widerstand: 50. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: ST13009L. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Funktion: hFE 15...28. Menge pro Karton: 1. Spec info: ST13009L. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Kosten): 122pF. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 120N4F6. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schaltanwendungen, Automotive. G-S-Schutz: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Verstärker mittlerer Leistung. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STD1862

C(in): 940pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B12NM50N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 550V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 122 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B12NM50ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 550V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (mit schneller Diode). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 470pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D10NF10. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 540pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.53 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 340pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10P6F6. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 790pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 75. G-S-Schutz: ja

C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000. G-S-Schutz: ja

C(in): 310pF. Kosten): 49pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 500V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja