Transistoren

C(in): 510pF. Kosten): 47pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 545pF. Kosten): 45pF. Kanaltyp: N. Anzahl der Kanäle: 1. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52K3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 525V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert, niedriges IDSS. Spec info: Enhancement type. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 529pF. Kosten): 71pF. Kanaltyp: N. Anzahl der Kanäle: 1. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.6A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52U. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.25 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 525V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert. Spec info: Enhancement type. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

Kosten): 24.6pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 213 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 7NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.84 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. C(in): 363pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 53A. Pd (Verlustleistung, max): 460W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Elektrische Isolierung: 2500V (AC-RMS). Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (Typ): 38 ns. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). Tr: 70 ns. Betriebstemperatur: -65...150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: ±30V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja

C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 870pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13N80K5. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM60. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220FP. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5NK100Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 452pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 324 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100mA. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.63 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 26A. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 610pF. Kosten): 65pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Lichtdimmer, statisches Relais, Motortreiber. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 100A. Ic(T=100°C): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GF10NB60SD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Geringer Spannungsabfall (VCE(sat)). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 380pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Funktion: Hochfrequenz-Motorsteuerungen. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Ic(T=100°C): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GP10NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Kurzschlussfestigkeit 10us. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2200pF. Kosten): 225pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60VD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: Hochfrequenz-Wechselrichter, USV. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 2510pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Produktionsdatum: 201509. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW30NC120HD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: hohe Strombelastbarkeit, hohe Eingangsimpedanz. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 4550pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Hochfrequenzbetrieb bis 50 kHz. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW40NC60V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 260W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 43 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schneller Leistungs-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H8NA60FI. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Erweiterungsmodus . Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Viso 4000V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 150pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4NF20L. Pd (Verlustleistung, max): 3.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N83003. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 1000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN93003. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 215pF. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Schnell schaltender NPN-Leistungstransistor mit niedriger Spannung. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.32V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 1000. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Konditionierung: Rolle. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kollektorstrom: 0.5A. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N9260. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 150 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 7V. Funktion: Schnellschaltender Hochspannungs-PNP-Leistungstransistor. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N93003. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 1000. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN83003. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 38 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 100N8F6. Pd (Verlustleistung, max): 176W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 80V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS