Transistoren

C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja

C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220FP. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P10NK80ZFP. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1250pF. Kosten): 210pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 42.8A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Viso 2000VDC. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P11NK40Z. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 930pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 612 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P11NM80. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5200pF. Kosten): 785pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 152 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P120NF10. Pd (Verlustleistung, max): 312W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 550V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50FP. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 550V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 460pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NF12. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NK50ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja

C(in): 315pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P16NF06. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit, niedrige Gate-Ladung. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 345pF. Kosten): 72pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 480A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 200N4F3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schalten, Automobilanwendungen. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGHdv/dtCAP. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: II Power Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Low Gate Charge

C(in): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FP. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 870pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 100us. Diodenschwellenspannung: 1.5V. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P24NF10. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS