Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STD10NM60N

STD10NM60N
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STD10NM60N. C(in): 540pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.53 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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TK7P60W

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C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Tran...
TK7P60W
C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Schaltspannungsregler. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TK7P60W. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Schaltspannungsregler. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TK7P60W. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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