Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.11€ | 2.51€ |
5 - 9 | 2.00€ | 2.38€ |
10 - 24 | 1.90€ | 2.26€ |
25 - 49 | 1.79€ | 2.13€ |
50 - 50 | 1.75€ | 2.08€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.11€ | 2.51€ |
5 - 9 | 2.00€ | 2.38€ |
10 - 24 | 1.90€ | 2.26€ |
25 - 49 | 1.79€ | 2.13€ |
50 - 50 | 1.75€ | 2.08€ |
N-Kanal-Transistor, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V - STD10NM60N. N-Kanal-Transistor, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.53 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 650V. C(in): 540pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 07:25.
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