Transistoren

Funktion: 9.31k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

C(in): 985pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 14 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „High-Side-Schalter“. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 196k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 29.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Gehäuse: PowerPAK SO-8. Gehäuse (laut Datenblatt): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: Modul. Konfiguration: verschraubt. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SK85MH10. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 120ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 570 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 9100pF. Komponentenfamilie: Voll-MOSFET-Brücke, NMOS. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

C(in): 5000pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Anzahl der Terminals: 7. RoHS: ja. Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Hinweis: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 23.1pF. Kosten): 1.9pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Kollektorstrom: 470A. Ic(Impuls): 600A. Ic(T=100°C): 330A. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1100pF. Kosten): 107pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Funktion: Schneller S-IGBT in NPT-Technologie. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 179W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. CE-Diode: ja

C(in): 1150pF. Kosten): 120pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 280 ns. Funktion: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Kollektorstrom: 46A. Ic(Impuls): 84A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25N120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 313W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 730 ns. Td(on): 45 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. CE-Diode: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V

C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 0.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: s1D. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. Funktion: Hochspannungsverstärker, SMD-Version von MPSA42. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) SMBTA92. Spec info: Siebdruck/SMD-Code S1D. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A6A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

C(in): 8180pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit“. Id(imp): 267A. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R041P6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 481W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TB. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.017...0.025 Ohms

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SP8M4FU6TB. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220 (PG-TO220FP). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 07N60C3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 790pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Isoliertes Gehäuse (2500 VAC, 1 Minute). Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N65C3. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 41W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 16N50C3. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 560V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 32A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 56A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 56N03L. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1

C(in): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 195 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Erweiterungsmodus . Id(imp): 320A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N04H4. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS