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STB1277Y

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STB1277Y. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Verstärker mittlerer Leistung. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STD1862. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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