Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32€ | 0.38€ |
10 - 24 | 0.30€ | 0.36€ |
25 - 49 | 0.28€ | 0.33€ |
50 - 99 | 0.27€ | 0.32€ |
100 - 213 | 0.26€ | 0.31€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32€ | 0.38€ |
10 - 24 | 0.30€ | 0.36€ |
25 - 49 | 0.28€ | 0.33€ |
50 - 99 | 0.27€ | 0.32€ |
100 - 213 | 0.26€ | 0.31€ |
SS8050CTA. Kosten): 9pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S8050 C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 (Ammo-Pack). Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.