Transistoren

C(in): 750pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 22.8A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N50C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 560V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPD09N05. Pd (Verlustleistung, max): 24W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.093 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

C(in): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 32 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 112A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N03L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 06N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 750 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Produktionsdatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60S5. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 104W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO220-3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 10N10. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 426pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1460pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 650ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N60S5. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPP17N80C2. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 230pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (T=25°C): 18.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18P06P. Pd (Verlustleistung, max): 81W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.102 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

C(in): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 62.1A. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60S5. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N06L11. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 68 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 158W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60C3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 208W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 20A. Leistung: 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.19 Ohms. Gehäuse: PG-TO247 HV. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V