Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STD10P6F6

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STD10P6F6. C(in): 340pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10P6F6. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

Technische Dokumentation

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C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50us. ...
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C(in): 500pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: NT2955. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: ID pulse 36A/10ms. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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RoHS: ja. C(in): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD5614P. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS
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