STB120N4F6

STB120N4F6. C(in): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 120N4F6. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schaltanwendungen, Automotive. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.