Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

SS9013F

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SS9013F. Kosten): 28pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 96. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 1. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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