Transistoren

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 20uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 80V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4532ADY-T1-E3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.13W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 340pF. Kosten): 67pF. Kanaltyp: N-P. Trr-Diode (Min.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4532CDY-T1-E3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 305/340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.14W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4559EY. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4800B. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0155 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2000pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0074 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja

Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 7.1A. IDSS (max): 7.1A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: P. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 7.3A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 2. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 45ns

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm bei 4,7 A. Herstellerkennzeichnung: SI4946BEY-T1-E3

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4946EY-T1-E3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.4W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 2. Konditionierungseinheit: 2500

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI4948BEY-T1-GE3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 10nA. IDss (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 3.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9410BDY-E3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: V-MOS. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: (G-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Funktion: 9.31k Ohms. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9936BDY. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 550pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. IDSS (max): 3.2A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xN-CH 60V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: SI9953DY. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C