Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82€ | 3.36€ |
5 - 9 | 2.68€ | 3.19€ |
10 - 24 | 2.54€ | 3.02€ |
25 - 49 | 2.40€ | 2.86€ |
50 - 95 | 2.34€ | 2.78€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.82€ | 3.36€ |
5 - 9 | 2.68€ | 3.19€ |
10 - 24 | 2.54€ | 3.02€ |
25 - 49 | 2.40€ | 2.86€ |
50 - 95 | 2.34€ | 2.78€ |
SPD08N50C3. C(in): 750pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 22.8A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N50C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 560V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.
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