SPP04N60C3XKSA1

SPP04N60C3XKSA1. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.