Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPP11N60C3

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SPP11N60C3. C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

Technische Dokumentation

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