SPD09N05

SPD09N05. C(in): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPD09N05. Pd (Verlustleistung, max): 24W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.093 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.