Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPP17N80C3

SPP17N80C3
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SPP17N80C3. C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 07:25.

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C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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