SPP08P06P

SPP08P06P. C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO220-3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.