Transistoren

C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB3207. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4520pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 31 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4750pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 512A. ID (T=100°C): 90A. ID (T=25°C): 128A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0046 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 310A. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 3070pF. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 800pF. Kosten): 74pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1200pF. Kosten): 91pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7.8 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 9620pF. Kosten): 670pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 370W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Gewicht: 1.99g. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 490pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 86 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Gewicht: 1.99g. C(in): 5270pF. Id(imp): 420A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0093 Ohms. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 19.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4530pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 330A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Klasse-D-Audioverstärker 300 W–500 W (Halbbrücke). Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB42N20D. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4820pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4410ZPBF. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.072 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7670pF. Kosten): 540pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4310. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 300A. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB4710. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFB4710PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB52N15D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Plasma-Display. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1750pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB5615PbF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 144W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1000A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 78 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. C(in): 7330pF. Kosten): 1095pF. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 250A/195A. Leistung: 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0015 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 172A/120A. Leistung: 143W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.002 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V

C(in): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 770A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 143W. Einschaltwiderstand Rds On: 2M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 115 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 123A/120A. Leistung: 99W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0026 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 40V

C(in): 1400pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 8.5A. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 650V