IRFB9N65A

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	3.85€	4.58€
5 - 9	3.65€	4.34€
10 - 24	3.46€	4.12€
25 - 36	3.27€	3.89€

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Set mit 1

IRFB9N65A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 8.5A. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 650V. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.

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