IRFB5615PBF

IRFB5615PBF. C(in): 1750pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB5615PbF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 144W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.