IRFB42N20DPBF

IRFB42N20DPBF. C(in): 4820pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4410ZPBF. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.072 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.