Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: HD-1. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9024PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9110PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.2 Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9120PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 390pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 0.34A. ID (T=25°C): 0.56A. IDSS (max): 0.56A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: HD-1. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9220PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI3205PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 63W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. Id(imp): 29A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 7.2A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 FULLPAK. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI520GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 37W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI530GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 670pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI540GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 53 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1400pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 54W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 FULLPAK. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 800pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFI630G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI630GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI640GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1100pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 380 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge. Id(imp): 23A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Hinweis: Viso 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI740G. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.55 Ohms 40W

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 4.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohm 40W. Gehäuse: TO-220-F. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI840GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 2.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI9540GPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 24 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 4.3A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS (max): 4.1A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 34ns

C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 290ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Switching. G-S-Schutz: NINCS