IRFB4115

IRFB4115. Kosten): 490pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 86 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 380W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 41 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Gewicht: 1.99g. C(in): 5270pF. Id(imp): 420A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0093 Ohms. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.