Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.48€ | 4.14€ |
5 - 9 | 3.31€ | 3.94€ |
10 - 24 | 3.13€ | 3.72€ |
25 - 49 | 2.96€ | 3.52€ |
50 - 64 | 2.89€ | 3.44€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.48€ | 4.14€ |
5 - 9 | 3.31€ | 3.94€ |
10 - 24 | 3.13€ | 3.72€ |
25 - 49 | 2.96€ | 3.52€ |
50 - 64 | 2.89€ | 3.44€ |
IRFB3207Z. C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 36ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB3207. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.
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