IRFB42N20D

IRFB42N20D. C(in): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB42N20D. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.