IRFB52N15D

IRFB52N15D. C(in): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB52N15D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Plasma-Display. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 17:25.