N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4020

N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4020. N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Kosten): 91pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. Id(imp): 52A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7.8 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 07:25.