FQA70N10

FQA70N10. C(in): 2500pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 214W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 85 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.