N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms - FQA13N80-F109

N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms - FQA13N80-F109. N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 800V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 2700pF. Kosten): 275pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 850 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 44 nC). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 50.4A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 01:25.