FQA13N80-F109

FQA13N80-F109. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA13N80. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 320 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.