FQA36P15

FQA36P15. C(in): 2550pF. Kosten): 710pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 198 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 25.5A. ID (T=25°C): 36A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 294W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: Niedrige Gate-Ladung (typisch 81 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.