FQA11N90C

FQA11N90C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA11N90C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 130 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 270 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.