Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FP1016

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FP1016. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 5000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FN1016. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 07:25.

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Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2438. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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