FQA11N90_F109

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	6.56€	7.81€
2 - 2	6.24€	7.43€
3 - 4	5.91€	7.03€
5 - 9	5.58€	6.64€
10 - 19	5.45€	6.49€
20 - 29	5.32€	6.33€
30 - 60	5.12€	6.09€

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FQA11N90_F109. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FQA 11N90. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 140 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 340 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.

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