FQA13N50CF

FQA13N50CF. C(in): 1580pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 218W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.43 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS-Technologie. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung (typisch 43 nC). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.