PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11015G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016

NPN-Transistor, -60V, -50A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -60V. Kollektorstrom: -50A. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 300W

NPN-Transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 50A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kosten): 300pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11032

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11033G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: 70. C(in): TO-3. Kosten): TO-204AA. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15003. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Ic(Impuls): 20A

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15015. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15016G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 18 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Kosten): 280pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15024. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 250V, 16A, -250V, -16A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Kollektorstrom: -16A. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15025G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 250W. Max Frequenz: 4 MHz. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ21193G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Kosten): 4pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2.5 MHz. Funktion: Schalt- und Verstärkeranwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 115W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N3055. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ2955G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 115W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, -100V, -6A, I-PAK. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -6A. Gehäuse: I-PAK. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 20W. Max Frequenz: 3MHz

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: J45H11. Grenzfrequenz ft [MHz]: 90 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -150V. C(in): -8A. Kosten): 50W. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15030G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, -250V, -8A, TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Kollektorstrom: -8A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz

NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220. Kosten): 2pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15032. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) MJE15034G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 120pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE200. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 15W. Max Frequenz: 40 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243