NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V - MJE253G

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V - MJE253G. NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 200pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.