NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15031
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.54€ | 1.83€ |
| 5 - 9 | 1.46€ | 1.74€ |
| 10 - 24 | 1.39€ | 1.65€ |
| 25 - 49 | 1.31€ | 1.56€ |
| 50 - 66 | 1.28€ | 1.52€ |
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| 1 - 4 | 1.54€ | 1.83€ |
| 5 - 9 | 1.46€ | 1.74€ |
| 10 - 24 | 1.39€ | 1.65€ |
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NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15031. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.
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NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Widerstand B: Leistungstransistor. BE-Widerstand: -150V. C(in): -8A. Kosten): 50W. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15030G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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