NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T. NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE3055T. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxie-Basis . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 70V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.