PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: DB. Grenzfrequenz ft [MHz]: 60 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Kollektorstrom: 0.03A. Gehäuse: SOT-39. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Kosten): 1.6pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1W. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1W. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 20V, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor. Funktion: UHF-V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V, SOT-37. Kollektorstrom: 30mA. Gehäuse: TO-50. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Gehäuse: SOT-37. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Max Frequenz: 900 MHz. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 30mA, 20V. Kollektorstrom: 30mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-V. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Transistortyp: PNP. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BFN37. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 12V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: X1p. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hoher Gleichstrom, Relaistreiber, Lampentreiber. Maximaler hFE-Gewinn: 2000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BSP50. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BSP62. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code T8. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor. Funktion: VHR758 EV. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) CSD1133

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 20A. Äquivalente: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: Paar D44H11. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D45H11G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D45H8G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

NPN-Transistor, -80V, -15A, TO–220AB. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektorstrom: -15A. Gehäuse: TO–220AB. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 83W. Max Frequenz: 50 MHz

NPN-Transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14

NPN-Transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Digitaler Transistor (eingebauter Vorspannungswiderstand). Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Digitale Transistoren (eingebaute Widerstände). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 15. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 15. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SC-72. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-72 ( D143 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Widerstand: 47k Ohms. Kosten): 3pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Mit einem PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 19. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 190 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 480. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) FMMT619. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 720