PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Funktion: VHR758 EV

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) CSD1133. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 70V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 20A. Äquivalente: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Paar D44H11. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D45H11G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D45H8G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V

NPN-Transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Digitaler Transistor (eingebauter Vorspannungswiderstand). Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Digitale Transistoren (eingebaute Widerstände). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 15. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 15. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SC-72. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-72 ( D143 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 47k Ohms. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Mit einem PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 19. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 190 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 480. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 4A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) FMMT619. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 720. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): SANYO--PCP4. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 5A. Anzahl der Terminals: 7. RoHS: ja. Spec info: 2SB1121 und SB05-05CP in einem Gehäuse integriert. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FN1016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 3A, PCP4, 15V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): PCP4. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 6. RoHS: ja. Spec info: Transistor + diode block. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT558. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT949. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Spec info: Sehr niedrige Sättigungsspannung. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 3A, 40V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Hinweis: hFE 100...400. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Spec info: TO-92. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Spec info: NICHT isoliertes Gehäuse. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.15A, 60V. Kollektorstrom: 0.15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.7A, 80V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF/S. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: 9mm Höhe. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 55pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSC2073. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V