NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15035G

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15035G. NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) MJE15034G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.