Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350

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NPN-Transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350. NPN-Transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Kollektorstrom: -0.5A. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE350. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 20.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.

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NPN-Transistor, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). C(in): 7pF. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Äquivalente: KSE350. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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NPN-Transistor, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). C(in): 7pF. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Äquivalente: KSE350. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Vebo: 3V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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