Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - MJE350

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - MJE350
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NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - MJE350. NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-32. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE350. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller Various. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.

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NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. C(in): 7pF. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Äquivalente: KSE350. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Vebo: 3V
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