PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2907A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 200 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-363. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Dualer PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: B*1. Grenzfrequenz ft [MHz]: 180 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: A6A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.24W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. C(in): 11pF. Kosten): 1.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 4. Kosten): 3pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 95pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Push-Pull-Betrieb der Klasse B. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: ausgezeichnete hFE-Linearität. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Funktion: Verstärker mittlerer Leistung. Maximaler hFE-Gewinn: 390. Minimaler hFE-Gewinn: 82. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STD1862. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnellschaltender Hochspannungs-PNP-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N9260. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 150 ns. Transistortyp: PNP. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: N93003. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) STN83003. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schalten, Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 15A. Hinweis: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP102. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP126. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. C(in): 75pF. Kosten): 10pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kosten): 300pF. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP127. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO220, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): 70pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 8A. Maximaler hFE-Gewinn: 15000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Ic(Impuls): 12V. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP132. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP147. Grenzfrequenz ft [MHz]: 500. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP2955. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP3055. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP30. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 30W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 160pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdatum: 201448. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP31C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP33C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): 45pF. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP33C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 50A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP35C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 25A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP36CG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP41C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP