Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V - MJE350-ONS

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V - MJE350-ONS
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NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V - MJE350-ONS. NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. C(in): 7pF. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Äquivalente: KSE350. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 12:25.

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