NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, TO-225, 300V, 500mA - MJE350G

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, TO-225, 300V, 500mA - MJE350G. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, TO-225, 300V, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE350G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.