NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD681G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, 80V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD809G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDP949. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: 1. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT64C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDV65BG. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW42G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 85W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-93. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-93. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW83C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDW84D. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 12A, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 20 MHz. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW94CF. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 12A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. C(in): TO-220. Kosten): TO-220. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX54C. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltnetzteil. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: NINCS. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 750V

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 40V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Funktion: TV-ZF-reVHF

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 25mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF240. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 30mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.22W

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Vebo: 5V